
삼성전자 측은 “P2 공장은 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인으로 진화할 예정”이라며 “4차 산업 혁명 시대의 반도체 초격차 달성을 위한 핵심적 역할을 할 것”이라고 밝혔다. P2 생산라인에서는 현재 극자외선(EUV) 기반 파운드리 생산시설, 낸드플래시 클린룸 공사 등이 추가로 진행 중이다. 이 제품은 내년 하반기(7~12월) 양산을 시작할 계획이다.

지난 2015년부터 공사를 시작한 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했고, 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을 출하하게 됐다.
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이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 “P2라인에서 양산을 시작하는 이번 D램 제품은 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시했다”라며 “프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.서동일기자 dong@donga.com
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August 30, 2020 at 09:34AM
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